|
Dersin Dili
|
Türkçe
|
|
Dersin Düzeyi
|
Yüksek Lisans
|
|
Bölümü / Programı
|
Fizik Tezli Yüksek Lisans
|
|
Öğrenim Türü
|
Örgün Öğretim
|
|
Dersin Türü
|
Seçmeli
|
|
Dersin Öğretim Şekli
|
Yüz Yüze
|
|
Dersin Amacı
|
Bu dersin amacı, metal-oksit-yarıiletken yapılarda akım–voltaj ve kapasitans-voltaj ölçümleriyle elde edilen datalardan arayüzeyde oluşan durumlar hakkında gerekli bilgi edinmek
|
|
Dersin İçeriği
|
Metal-yarıiletken yapılar, metal-yarıiletken yapının I-V karakteristiklerinin ölçülmesi ve değerlendirilmesi, C-V karakteristiklerinden yararlanarak oksit içindeki yük yoğunluklarının hesaplanması, C-V karakteristiklerinden ara yüzeyde tuzaklanmış yük yoğunluklarının hesaplanması.
|
|
Dersin Yöntem ve Teknikleri
|
yüz yüze
|
|
Ön Koşulları
|
Yok
|
|
Dersin Koordinatörü
|
Yok
|
|
Dersi Verenler
|
Dr. Öğr. Üyesi Halil Özerli halilozerli@osmaniye.edu.tr
|
|
Dersin Yardımcıları
|
Yok
|
|
Dersin Staj Durumu
|
Yok
|
Ders Kaynakları
|
Kaynaklar
|
Photoelectronic Properties of Semiconductors (Paperback), Richard H. Bube
Semiconductor Fundamentals, Prentice Hall, New York,1976
|
|
Ders Notları
|
1-Photoelectronic Properties of Semiconductors (Paperback), Richard H. Bube
2-Semiconductor Fundamentals, Prentice Hall, New York,1976
3- Ders notları
|
Ders Yapısı
|
Matematik ve Temel Bilimler
|
%10
|
|
|
Mühendislik Bilimleri
|
%70
|
|
|
Fen Bilimleri
|
%20
|
|
|