Dersin Ayrıntıları
YarıyılKoduAdıT+U+LKrediAKTSSon Güncelleme Tarihi
4EEM212Analog Elektronik3+2+04502.06.2026

 
Dersin Detayları
Dersin Dili Türkçe
Dersin Düzeyi Lisans
Bölümü / Programı Elektrik-Elektronik Mühendisliği
Öğrenim Türü Örgün Öğretim
Dersin Türü Zorunlu
Dersin Öğretim Şekli Yüz Yüze
Dersin Amacı Alan Etkili Transistörlerin (FET/MOSFET), İşlemsel Yükselteçlerin (Op-Amp), osilatörlerin, filtrelerin ve güç kuvvetlendiricilerinin çalışma prensiplerini ve analiz yöntemlerini öğretmek.
Dersin İçeriği FET/MOSFET yapıları, DC kutuplama ve küçük sinyal analizi; İşlemsel yükselteçlerin (Op-Amp) ideal modelleri ve temel devre yapıları; filtre çeşitleri; geribesleme topolojileri; kararlılık analizi; sinüs ve faz ötelemeli osilatörler; A, B, AB ve D sınıfı güç kuvvetlendiricileri ile fark kuvvetlendiricileri.
Dersin Yöntem ve Teknikleri Anlatım, Problem Çözme, Soru-Cevap.
Ön Koşulları Yok
Dersin Koordinatörü Yok
Dersi Verenler Prof. Dr. S. Batuhan AKBEN
Dersin Yardımcıları Yok
Dersin Staj Durumu Yok

Ders Kaynakları
Kaynaklar Boylestad, R. L., & Nashelsky, L. (2012). Electronic Devices and Circuit Theory. Pearson Education
Sedra, A. S., & Smith, K. C. (2014). Microelectronic Circuits. Oxford University Press
Neamen, D. A. (2010). Microelectronics: Circuit Analysis and Design. McGraw-Hill
Ders Notları 1. Boylestad, R. L., & Nashelsky, L. (2002). Elektronik Cihazlar ve Devre Teorisi. Pearson Education. (Ek kaynak: Sedra, A. S., & Smith, K. C., Microelectronic Circuits).

Ders Yapısı
Matematik ve Temel Bilimler %20
Mühendislik Bilimleri %50
Mühendislik Tasarımı %30
Sosyal Bilimler %0

Planlanan Öğrenme Aktiviteleri ve Metodları
Etkinlikler ayrıntılı olarak "Değerlendirme" ve "İş Yükü Hesaplaması" bölümlerinde verilmiştir.

Değerlendirme Ölçütleri
Yarıyıl Çalışmaları Sayısı Katkı
Ara Sınav 1 % 20
Uygulama 1 % 20
Yarıyıl Sonu Sınavı 1 % 60
Toplam :
3
% 100

 
AKTS Hesaplama İçeriği
İş Yükü Sayısı Süre Toplam İş Yükü (Saat)
Ders Süresi 14 3 42
Sınıf Dışı Ç. Süresi 14 4 56
Ara Sınavlar 1 12 12
Uygulama 14 2 28
Yarıyıl Sonu Sınavı 1 12 12
Toplam İş Yükü   AKTS Kredisi : 5 150

 
Dersin Öğrenme Çıktıları: Bu dersin başarılı bir şekilde tamamlanmasıyla öğrenciler şunları yapabileceklerdir:
Sıra NoAçıklama
1 Alan Etkili Transistörlerin (FET/MOSFET) çalışma prensiplerini ve DC kutuplama devrelerini analiz eder.
2 FET/MOSFET küçük sinyal modelleriyle kuvvetlendirici devreleri tasarlar.
3 İşlemsel yükselteç (Op-Amp) ideal modelleriyle temel uygulama devrelerini tasarlar.
4 Filtre çeşitlerini, geribesleme topolojilerini ve sistem kararlılığını değerlendirir.
5 Sinüs ve faz ötelemeli osilatör devrelerinin çalışma şartlarını ve frekans özelliklerini analiz eder.
6 Fark kuvvetlendiricileri ile A, B, AB ve D sınıfı güç kuvvetlendiricilerinin performans karakteristiklerini karşılaştırır.

 
Ders Konuları
HaftaKonuÖn HazırlıkDökümanlar
1 FET/MOSFET yapısı, çalışma prensipleri ve I-V karakteristikleri Yarıiletken fiziği ve alan etkili transistör temellerinin okunması.
2 FET/MOSFET DC kutuplama devreleri ve çalışma noktası analizi FET/MOSFET DC polarlama (kutuplama) devre şemalarının incelenmesi.
3 FET/MOSFET küçük sinyal modeli ve temel kuvvetlendirici topolojileri Transistör AC küçük işaret eşdeğer modelleri üzerine ön çalışma.
4 Filtre çeşitleri, pasif filtre devreleri ve frekans cevabı temelleri Pasif filtre topolojileri ve frekans spektrumu araştırması.
5 MOSFET kuvvetlendiricilerde alçak ve yüksek frekans cevabı Kuvvetlendiricilerde parazitik kapasiteler ve frekans sınırlarının incelenmesi.
6 Çok katlı kuvvetlendiricilerde kesim frekansları ve darbe cevabı Çok katlı devrelerde kaskad bağlantı ve darbe cevabı konularının okunması.
7 Genel geribesleme yapısı, avantajları ve geribesleme topolojileri Temel geribesleme teorisi, avantajları ve blok diyagramların incelenmesi.
8 Kararlılık analizi, genel kararlılık kriterleri ve Bode eğrileri Bode diyagramı çizimi ve sistem kararlılık kriterleri üzerine çalışma.
9 Sinüs osilatörleri ve Wien köprüsü osilatörü Pozitif geribesleme şartları (Barkhausen kriteri) ve RC osilatör araştırması.
10 Faz ötelemeli osilatörler, genel LC ve kristal osilatörler LC rezonans devreleri ve piezoelektrik kristal yapısının okunması.
11 Güç kuvvetlendiricileri: A, B ve AB sınıfı temelleri Güç kuvvetlendiricisi sınıfları (A, B, AB) ve verim kavramının araştırılması.
12 D sınıfı güç kuvvetlendiricileri ve verimlilik analizi Anahtarlamalı (D Sınıfı) güç kuvvetlendiricileri üzerine literatür incelemesi.
13 İşlemsel Yükselteçler (Op-Amp) ve temel uygulama devreleri İdeal Op-Amp parametreleri ve temel başvuru devre şemalarının tekrarı.
14 MOSFET fark kuvvetlendiricisi, akım aynası devreleri ve genel değerlendirme Fark alıcı devreler ve aktif yük akım aynası topolojilerinin incelenmesi.

 
Sürdürülebilir Kalkınma Amaçları
Dersin Program Çıktılarına Katkısı
P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 P10 P11 P12
Tüm 4 5 4 1 1 1 1 1 1 1 1 1
Ö1 4 5 4 1 1 1 1 1 1 1 1 1
Ö2 4 5 5 1 1 1 1 1 1 1 1 1
Ö3 4 5 4 1 1 1 1 1 1 1 1 1
Ö4 4 5 5 1 1 1 1 1 1 1 1 1
Ö5 4 5 4 1 1 1 1 1 1 1 1 1
Ö6 4 5 4 1 1 1 1 1 1 1 1 1

  Katkı Düzeyi: 1: Çok Düşük 2: Düşük 3: Orta 4: Yüksek 5: Çok Yüksek

  
  https://obs.osmaniye.edu.tr/oibs/bologna/progCourseDetails.aspx?curCourse=286977&lang=tr