Dersin Ayrıntıları
YarıyılKoduAdıT+U+LKrediAKTSSon Güncelleme Tarihi
2ETP104Elektronik I3+1+04415.05.2026

 
Dersin Detayları
Dersin Dili Türkçe
Dersin Düzeyi Ön Lisans
Bölümü / Programı Elektronik Teknolojisi
Öğrenim Türü Örgün Öğretim
Dersin Türü Zorunlu
Dersin Öğretim Şekli Yüz Yüze
Dersin Amacı Pasif bileşenlerden (direnç, kondansatör) aktif bileşenlere (diyot, transistör) geçiş yaparak, elektrik akımını,kontrollü bir şekilde yönetmeyi, yönlendirmeyi ve yükseltmeyi öğretmektir.Ayrıca simülasyon ve laboratuvar araçlarını etkin kullanabilmektir.
Dersin İçeriği Yarı iletken elektroniğine giriş,Diyotlar ve Uygulamaları ,Özel Diyotlar,
İki Kutuplu Birleşimli Transistör (BJT),Transistör Bias Devreleri,FET Yükselteçleri konularını kapsar.
Dersin Yöntem ve Teknikleri Anlatım,Problem Çözme,Kavramsal Anlatım ve Benzetme,Uygulama.
Ders yüz yüze verilmektedir.
Ön Koşulları Yok
Dersin Koordinatörü Öğr. Gör. Mehmet Yurtal mehmetyurtal@osmaniye.edu.tr
Dersi Verenler Öğr. Gör. Mehmet Yurtal mehmetyurtal@osmaniye.edu.tr
Dersin Yardımcıları Yok
Dersin Staj Durumu Yok

Ders Kaynakları
Kaynaklar Robert L. Boylestad, Louis Nashelsky (2021) , Elektronik Cihazlar Ve Devre Teorisi.Palme Yayınevi.
Hüseyin Demirel (2018) ,Elektronik -1.Birsen Yayınevi.
Thomas L Floyd , David M. Buchla , Gary D. Snyder (2025) ,Elektronik Temeller: Devreler, Cihazlar ve Uygulamalar.Palme Yayıncılık.
Adel S. Sedra , Kenneth C. Smith , Tony Chan Carusone (2024),Mikroelektronik Devreler.Palme yayıncılık (yardımcı kaynak)
Avni Morgül (2012),Elektronik Devreler.Papatya Bilim Yayınları (yardımcı kaynak).
Ders Notları Ders Notları (Teams'te),Deney Föyleri,Çalışma Yaprakları,Veri Sayfası Okuma Kılavuzu.
Dökümanlar https://login.microsoftonline.com

Ders Yapısı
Matematik ve Temel Bilimler %10
Mühendislik Bilimleri %50
Mühendislik Tasarımı %10
Fen Bilimleri %10
Alan Bilgisi %20

Planlanan Öğrenme Aktiviteleri ve Metodları
Etkinlikler ayrıntılı olarak "Değerlendirme" ve "İş Yükü Hesaplaması" bölümlerinde verilmiştir.

Değerlendirme Ölçütleri
Yarıyıl Çalışmaları Sayısı Katkı
Ara Sınav 1 % 40
Yarıyıl Sonu Sınavı 1 % 60
Toplam :
2
% 100

 
AKTS Hesaplama İçeriği
İş Yükü Sayısı Süre Toplam İş Yükü (Saat)
Ders Süresi 14 4 56
Sınıf Dışı Ç. Süresi 14 2 28
Ara Sınavlar 1 16 16
Yarıyıl Sonu Sınavı 1 20 20
Toplam İş Yükü   AKTS Kredisi : 4 120

 
Dersin Öğrenme Çıktıları: Bu dersin başarılı bir şekilde tamamlanmasıyla öğrenciler şunları yapabileceklerdir:
Sıra NoAçıklama
1 Yarı iletken malzemelerin (p-tipi, n-tipi) atomik yapısını ve enerji bandı teorisini açıklar.
2 Diyotların karakteristik eğrileri ile doğrultucu, kırpıcı ve zener regülatör devrelerini anlatır.
3 Bipolar Bileşimli Transistörlerin (BJT) çalışma bölgelerini (kesim, aktif, doyum) ve dc kutuplama devrelerini belirler .
4 Alan Etkili Transistörlerin (FET/MOSFET) yapısını ve transfer karakteristiklerini açıklar.
5 Elektronik devreleri bilgisayar ortamında (SPICE tabanlı) simüle eder.

 
Ders Konuları
HaftaKonuÖn HazırlıkDökümanlar
1 Yarı İletken Teorisi. Atomun yapısı (Valans yörüngesi) ve Ohm Kanunu bilgilerini tazele. Boylestad'ın 1. Bölümü veya MEGEP'in "Yarı İletkenler" modülü.
2 Katkılı Yarı İletkenler. Atomun yapısı (Valans yörüngesi) ve Ohm Kanunu bilgilerini tazele. Boylestad'ın 1. Bölümü veya MEGEP'in "Yarı İletkenler" modülü.
3 PN Eklemi ve Diyot Fiziği. Atomun yapısı (Valans yörüngesi) ve Ohm Kanunu bilgilerini tazele. Boylestad'ın 1. Bölümü veya MEGEP'in "Yarı İletkenler" modülü.
4 Diyot Devre Analizi. Kirchhoff’un Gerilim Yasası (KVL) ve sinüs dalgasının (AC) karakteristiklerini (RMS, Peak değerleri) hatırla. Thomas Floyd - "Electronic Devices",(Diyotlar ve Uygulamaları Bölümü).
5 Doğrultucu Devreler. Kirchhoff’un Gerilim Yasası (KVL) ve sinüs dalgasının (AC) karakteristiklerini (RMS, Peak değerleri) hatırla. Thomas Floyd - "Electronic Devices",(Diyotlar ve Uygulamaları Bölümü).
6 Filtre ve Regülasyon. Kirchhoff’un Gerilim Yasası (KVL) ve sinüs dalgasının (AC) karakteristiklerini (RMS, Peak değerleri) hatırla. Thomas Floyd - "Elektronik Cihazlar" (Diyotlar ve Uygulamaları Bölümü).
7 Özel Diyot Uygulamaları. Kirchhoff’un Gerilim Yasası (KVL) ve sinüs dalgasının (AC) karakteristiklerini (RMS, Peak değerleri) hatırla. Thomas Floyd - "Elektronik Cihazlar" (Diyotlar ve Uygulamaları Bölümü).
8 BJT Transistöre Giriş. Akım kazancı (ß ve ? ) kavramın göz at. Thomas Floyd - "Elektronik Cihazlar" (Bipolar Bileşimli Transistör).
9 BJT Çalışma Bölgeleri. Akım kazancı (ß ve ? ) kavramın göz at. Thomas Floyd - "Elektronik Cihazlar" (Bipolar Bileşimli Transistör).
10 BJT dc Kutuplama - I. Akım kazancı (ß ve ? ) kavramın göz at. Thomas Floyd - "Elektronik Cihazlar" (Transistör Bias Devresi).
11 BJT dc Kutuplama - II. Akım kazancı (ß ve ? ) kavramın göz at. Thomas Floyd - "Elektronik Cihazlar" (Transistör Bias Devresi).
12 Alan Etkili Transistörler (FET). Elektriksel alan (Electric Field) mantığını anla. BJT akımla çalışırken, FET gerilimle (kapı voltajı) çalışır. Thomas Floyd - "Elektronik Cihazlar" (Alan Etkili Transistör).
13 MOSFET Karakteristiği. Elektriksel alan (Electric Field) mantığını anla. BJT akımla çalışırken, FET gerilimle (kapı voltajı) çalışır. Thomas Floyd - "Elektronik Cihazlar" (Alan Etkili Transistör).
14 FET/MOSFET dc Kutuplama. Elektriksel alan (Electric Field) mantığını anla. BJT akımla çalışırken, FET gerilimle (kapı voltajı) çalışır. Thomas Floyd - "Elektronik Cihazlar" (Alan Etkili Transistör).

 
Sürdürülebilir Kalkınma Amaçları
Dersin Program Çıktılarına Katkısı
P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 P10 P11 P12 P13
Tüm 4 5 4 3 4 5 2 5 2 3 5 3
Ö1 5 3 2 5
Ö2 4 5 3 3 5 5 5
Ö3 4 5 3 4 5 5
Ö4 4 5 3 4 5 5 3
Ö5 3 5 5 5 4 5 2 5 2 3 4 3

  Katkı Düzeyi: 1: Çok Düşük 2: Düşük 3: Orta 4: Yüksek 5: Çok Yüksek

  
  https://obs.osmaniye.edu.tr/oibs/bologna/progCourseDetails.aspx?curCourse=292750&lang=tr